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龙图腾网恭喜泉州师范学院申请的专利一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116145094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310024541.7，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法是由潘淼;谢清来;苏子生;王锋;周伯萌;苏建志设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法，包括如下步骤：1将PbO、TiO2和ZrO2按一定质量比混合，混匀后再添加聚乙烯醇PVA水溶液，充分研磨，压制成靶，再进行一次烧结；2将步骤1烧结后的物质进行球磨粉碎后，再往其内加入过渡金属氧化物，充分研磨，压制成靶，再进行二次烧结，烧结后制成掺杂锆钛酸铅靶材；3用磁控溅射方法对烧结后制成的掺杂锆钛酸铅靶材进行锆钛酸铅薄膜沉积，并在一定功率密度下进行溅射；4将锆钛酸铅薄膜进行快速热处理，得到高介电常数锆钛酸铅薄膜。

本发明授权一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将PbO、TiO2和ZrO2按一定质量比混合，混匀后再添加聚乙烯醇（PVA）水溶液，充分研磨，压制成靶，再进行一次烧结；2）将步骤1）烧结后的物质进行球磨粉碎后，再往其内加入过渡金属氧化物，充分研磨，压制成靶，再进行二次烧结，烧结后制成掺杂锆钛酸铅靶材；其中，所述过渡金属氧化物为Y、V、Hf、Mo、Cr、Mn、Co、Cu、Zn中的一种或者几种氧化物的混合，其中，加入过渡金属氧化物的质量为总质量的0.01%~0.1%；3）用磁控溅射方法对烧结后制成的掺杂锆钛酸铅靶材进行锆钛酸铅薄膜沉积，并在一定功率密度下进行溅射；其中，溅射过程中的氩气流量50sccm，启辉压强为0.9Pa，功率密度为4Wcm2~6Wcm2；4）将所述锆钛酸铅薄膜进行快速热处理，得到高介电常数锆钛酸铅薄膜；其中，快速热处理的温度为400℃~500℃，保温时间5分钟~20分钟。

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