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龙图腾网恭喜散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所申请的专利一种超导腔等离子体清洗的电路装置及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116000022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310030747.0，技术领域涉及：B08B7/00；该发明授权一种超导腔等离子体清洗的电路装置及其使用方法是由张聪;王云;刘华昌;吴小磊;陈强;李阿红;瞿培华;李波;樊梦旭;周文中;杨钥;孔启宇设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超导腔等离子体清洗的电路装置及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超导腔等离子体清洗的电路装置及其使用方法，其装置包括依序连接的信号源、功率放大器、环形器、定向耦合器、支节调谐器、偏置器、功率耦合器以及超导腔，定向耦合器的两个耦合端口及超导腔的功率提取端口连接至功率监测设备，各个射频器件之间通过特性阻抗为50欧姆的同轴射频传输线连接。本发明通过支节调谐器调节其支节短路片的位置来改善弱耦合态的功率耦合器阻抗不匹配的问题，使得外界功率得以顺利馈入超导腔内，并通过偏置器设备为功率耦合器天线施加一定的直流偏置电压，用于排斥功率耦合器天线附近的惰性气体正离子的轰击碰撞，从而保护天线免受刻蚀避免对超导腔造成铜污染。

本发明授权一种超导腔等离子体清洗的电路装置及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种超导腔等离子体清洗的电路装置的使用方法，其特征在于，包括：主电路，其为依序连接的信号源、功率放大器、环形器、定向耦合器、支节调谐器、偏置器、功率耦合器及超导腔；其中信号源、功率放大器、环形器、定向耦合器及功率耦合器为向超导腔传输功率的基本功能元件；其中支节调谐器及偏置器为调节功能元件，分别用于调节功率耦合器的阻抗匹配和调节向功率耦合器天线上加载的偏置电压；偏置器RF端与RF+DC端连接在主电路中，且DC端外接有一偏置电压加载设备以及一偏置电流监测设备；功率监测电路，其与定向耦合器耦合端口3和端口4及超导腔功率提取端口连接，用于密切监测超导腔功率馈入端口的入射功率、反射功率及超导腔功率提取端口的传输功率，所述功率监测电路中包括一功率监测设备；所述超导腔等离子体清洗的电路装置的使用方法包括以下步骤：S1、确认超导腔内所充气体已满足等离子体清洗要求；S2、设置信号源在低功率水平输出，设置功率监测设备能够正确显示定向耦合器耦合端口3和端口4、及超导腔功率提取端口的信号；S3、调节支节调谐器的各个支节短路片位置，支节短路片有位置可调节的支节同轴线，使定向耦合器耦合端口4的功率信号值达到最低值，此时功率耦合器相对于超导腔处于临界耦合状态；S4、缓慢增加信号源的功率水平输出，保持观察功率监测设备显示的定向耦合器耦合端口4及超导腔功率提取端口的功率信号值，当出现定向耦合器耦合端口4功率信号值阶跃式升高及超导腔功率提取端口功率信号值显著降低时，此时超导腔内气体发生了预电离；S5、继续缓慢增加信号源的功率水平输出，当功率监测设备显示的定向耦合器耦合端口4的功率信号值发生下降时，此时超导腔内气体发生了完全电离，超导腔的等离子体清洗即在此状态下进行；S6、当超导腔内气体发生完全电离后，偏置电流监测设备显示的偏置电流读数会出现明显升高，此时使用偏置电压加载设备向功率耦合器天线缓慢加载偏置电压，直至偏置电流监测设备显示的偏置电流读数降至原来的水平为止。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所，其通讯地址为：523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部二路2号光大数字家庭(推广名:光大we谷)一区1栋1号楼1316号房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。