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龙图腾网恭喜宁波圆芯电子有限公司;睿芯(大连)股份有限公司申请的专利一种二维IGZO纳米片材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116022840B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310055394.X，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种二维IGZO纳米片材料及其制备方法是由肖涵;孙俊峰;马燕;陈韦宁设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维IGZO纳米片材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维片层状IGZO半导体材料及其制备方法。具体制备方法为采用溶胶凝胶法将铟盐，镓盐，锌盐分别在水中搅拌溶解，混合均匀后，加入碱性添加剂使三种盐产生共沉淀，添加搅拌稳定后的pH为4～9。在烘箱中热处理进行反应获得IGZO前驱体，洗涤干燥获得前驱体粉末，将粉末在800‑1300℃下高温烧结成IGZO纳米片。本发明获得的IGZO纳米片直径为100nm～5μm，片层厚度100nm，纳米片可分散于适合溶剂，如二甲基亚砜，N‑甲基吡咯烷酮，乙二醇等溶剂中，经加工后可用于印刷喷墨打印用n型半导体制备或薄膜半导体功能模块的生产。

本发明授权一种二维IGZO纳米片材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维片状IGZO纳米片的应用，其特征在于，IGZO纳米片分散于溶剂中，经加工后用于印刷喷墨打印用n型半导体制备或薄膜半导体功能模块的生产；所述二维片状IGZO纳米片直径为100nm~1μm，厚度为＜50nm；IGZO纳米片的制备方法，包括以下步骤：（1）将铟盐，镓盐，锌盐分别加入溶剂中，形成金属盐溶液，浓度均为0.005~0.5M；（2）将（1）中所述的三种金属盐溶液混合均匀后，向其中添加碱性添加剂，加入碱性添加剂后溶液pH为4~9；（3）将步骤（2）得到的溶液放入烘箱中进行热处理，得到IGZO前驱体溶液，所述热处理温度为60-130℃；（4）洗涤、干燥，得到IGZO前驱体粉末；（5）将步骤（4）得到的IGZO前驱体粉末进行烧结，得到IGZO纳米片，所述烧结温度为800-1300℃。

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