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龙图腾网恭喜北京士模微电子有限责任公司申请的专利一种新型Zener基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310105589.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种新型Zener基准电路是由韩书光;范明浩设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型Zener基准电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种新型Zener基准电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一三极管、第二三极管、第一电流源、第三PMOS管、第四PMOS管、电容、第三三极管、第五三极管、第一电阻、第四三极管、第二电阻、第三电阻、可变电阻，第五PMOS管、第六电阻、ΔVBE单元、运算放大器、第四电阻、第五电阻、齐纳二极管和第二电流源。本发明所述的一种可大幅改进负载调制性能的Zener基准电路，通过额外的第三PMOS管漏极接地，将从外部流入的大负载电流导入地中，减少对电路工作状态的影响，同时实现了SeriesMode和ShuntMode功能，应用场景比现有方案更加广泛，在两种工作模式下性能均有很好的表现。

本发明授权一种新型Zener基准电路在权利要求书中公布了：1.一种新型Zener基准电路，其特征在于：包括旁路模式和串行模式；包括与供电电压相连的第一PMOS管、第二PMOS管、第一三极管、第二三极管，与所述第一PMOS管G极、D极相连的第一电流源，与所述第一三极管基极相连的第三PMOS管、第四PMOS管、电容，与所述第二PMOS管发射极相连的第三三极管、第五三极管、第一电阻，与所述第三三极管发射极相连的第四三极管，与所述第一电阻相连的第二电阻，与所述第二电阻相连的第三电阻、可变电阻，与所述第四PMOS管S极相连的第五PMOS管，与所述电容相连的第六电阻，与所述第五三极管发射极相连的ΔVBE单元，与所述第五PMOS管G基、所述第六电阻、所述ΔVBE单元相连的运算放大器，与所述运算放大器正向输入端相连的第四电阻、第五电阻，与所述第三电阻、所述第四电阻、所述第五电阻、所述可变电阻、所述第五PMOS管S极相连的齐纳二极管和与所述齐纳二极管相连的第二电流源；所述第一PMOS管G极与所述第二PMOS管G极相连，所述第一三极管集电极与所述第二三极管集电极相连，所述第一三极管发射极与所述第二三极管基极相连，所述第三三极管发射极与所述第四三极管基极、集电极相连，所述第四三极管发射极与所述第三PMOS管S极相连，所述第三PMOS管D极接地，所述第四PMOS管S极与所述第五PMOS管D极相连，所述运算放大器输出端与所述第五PMOS管G极相连。

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