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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种用于电荷泵的自监测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116316443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310248590.9，技术领域涉及：H02H7/12；该发明授权一种用于电荷泵的自监测电路是由方健;杨曦禾;张益森;颜泠;梁英东;唐玲丽;张波设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于电荷泵的自监测电路在说明书摘要公布了：本发明属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种用于电荷泵的自监测电路。由于电荷泵外接电容直接连接在VCP和VM之间，如果不对其限制，VCP的电压值将上升为两倍VM的电压值。本发明通过监测VCP与VM的差值，将其转换为相应电流再通过可调电阻输出与VCP与VM差值线性相关的电压，实现V‑I‑V的转换。通过VCP‑VM线性相关的输出电压与基准电压作比较，可以控制VCP的电压在一定范围内，并且在达到设定值后在开启后续驱动模块，大大增加了设计的可靠性和安全性。

本发明授权一种用于电荷泵的自监测电路在权利要求书中公布了：1.一种用于电荷泵的自监测电路，其特征在于，包括第一齐纳管、第二齐纳管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一比较器、第二比较器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器；第一电阻的第一端口连接母线电压，第二端口连接第一PMOS管的源极；第一PMOS管的栅极与漏极相连并连接到第一齐纳管的阳极、第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的源极；第二电阻的第一端口连接电荷泵的输出电压，第二电阻的第二端口连接第一齐纳管的阴极、第二PMOS管的源极和第五NMOS管的漏极；第二PMOS管的漏极连接第二齐纳管的阴极以及第四PMOS管的源极；第三PMOS管的栅极与漏极相连并连接到第二齐纳管的阳极、第四PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极；第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的栅极并连接电源，源极连接到第三NMOS管的漏极；第三NMOS管的栅极连接第四NMOS管的栅极并连接到输入偏置电压，源极连接到地；第二NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极相连并连接到第五NMOS管的栅极；第四NMOS管的漏极连接第二NMOS管的源极，第四NMOS管的源极连接到地；第三电阻的第一端口与第五NMOS管的源极相连并作为第一比较器和第二比较器的反相端输入，第三电阻的第二端口连接到地；第一比较器同相端连接第一基准电压，第一比较器的输出经第一反相器、第二反相器得到第一输出信号；第二比较器同相端连接输入第二基准电压，输出经第三反相器、第四反相器得到第二输出信号；所述第一输出信号用于控制电荷泵建立使后级驱动电路正常工作的电压值，所述第二输出信号用于控制前级电荷泵关断，使得电荷泵输出电压值保持在设定的安全范围内。

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