恭喜国开启科量子技术(北京)有限公司;启科量子技术(珠海)有限公司刘红喜获国家专利权
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龙图腾网恭喜国开启科量子技术(北京)有限公司;启科量子技术(珠海)有限公司申请的专利离子阱芯片和量子计算设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116596077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310511602.2,技术领域涉及:G06N10/40;该发明授权离子阱芯片和量子计算设备是由刘红喜;周卓俊;韩琢;罗乐设计研发完成,并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子阱芯片和量子计算设备在说明书摘要公布了:本发明公开了离子阱芯片和量子计算设备,其中,离子阱芯片包括:非导电衬底;射频电极,布置在所述非导电衬底的上表面;两组直流电极,布置在所述非导电衬底的上表面且对称地分布在所述射频电极的两条平行布线的两侧;以及第一接地电极和第二接地电极;分别布置在所述非导电衬底的上表面和所述非导电衬底的下表面,所述第一接地电极经由设置在所述第一电极中的贯穿所述非导电衬底的金属过孔与所述第二接地电极电连接。本发明实施例提出的离子阱芯片能够减少芯片表面连接线路的使用以及提高激光射入离子囚禁区域的入射强度。
本发明授权离子阱芯片和量子计算设备在权利要求书中公布了:1.一种离子阱芯片,其特征在于,包括:非导电衬底;射频电极,布置在所述非导电衬底的上表面;两组直流电极,布置在所述非导电衬底的上表面且对称地分布在所述射频电极的两条平行布线的两侧;以及第一接地电极和第二接地电极;分别布置在所述非导电衬底的上表面和所述非导电衬底的下表面,所述第一接地电极经由设置在所述第一接地电极中的贯穿所述非导电衬底的金属过孔与所述第二接地电极电连接,其中,所述第一接地电极的布线包括两个部分,第一部分包围所述射频电极的两条平行布线中的第一平行布线以及所述两组直流电极中分布在所述第一平行布线一侧的第一组直流电极,第二部分包围所述射频电极的两条平行布线中的第二平行布线以及所述两组直流电极中分布在所述第二平行布线一侧的第二组直流电极,使得离子阱中的离子在所述射频电极和所述直流电极产生的电磁场的作用下被限定在所述射频电极的两条平行布线之间的间隔上方的预定距离内。
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