恭喜拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司魏薇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利反应腔体以及薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117187782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311153774.3，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权反应腔体以及薄膜沉积设备是由魏薇;褚鑫辉;张赛谦;王婷设计研发完成，并于2023-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本反应腔体以及薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种反应腔体和薄膜沉积设备。该反应腔体包括：传片口；可移动块体，设置在该传片口下方并具有内侧壁和外侧壁；气缸推动组件，安装在该可移动块体下方；以及导轨组件，设置在该可移动块体的两侧；其中，当进行工艺制程时，该气缸推动组件带动该可移动块体上升，使该可移动块体组件沿着该导轨组件上升直至该传片口空间被封堵。
本发明授权反应腔体以及薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种反应腔体，其特征在于，该反应腔体包括：传片口；可移动块体，设置在该传片口下方并具有内侧壁和外侧壁；气缸推动组件，安装在该可移动块体下方；以及导轨组件，设置在该可移动块体的两侧；其中，当进行工艺制程时，该气缸推动组件带动该可移动块体上升，使该可移动块体组件沿着该导轨组件上升直至该传片口空间被封堵；其中，该可移动块体的最大宽度与传片口的宽度相同；该可移动块体的外侧壁与反应腔体的侧壁对齐，使得当该可移动块体上移直至该反应腔体的外壁封闭后其外侧壁与反应腔体的侧壁齐平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号