恭喜天津大学马雷获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117468088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311446568.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法是由马雷;李睿;纪佩璇;张凯敏;田昊;赵健;李雅奇设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于外延石墨烯技术领域，公开了一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法，先在SiC衬底表面制备半导体石墨烯；然后将半导体石墨烯通过氢插层制备为准悬浮石墨烯。本发明首先直接在绝缘衬底上生长使得石墨烯单晶尺寸宽度扩展至500μm，长度达到毫米量级，同时生长均匀无明显缺陷；然后通过氢插层减弱了衬底对石墨烯的耦合作用，得到超大单晶畴准悬浮石墨烯，使得室温迁移率可达3300cm2V·s，至少是传统外延石墨烯的3倍；以准悬浮石墨烯制备的顶栅器件表现出可达厘米级别的室温超长弹道输运性能，因此本发明可以应用到集成电路领域，将为电子学领域的发展带来崭新的前景。
本发明授权一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超大单晶畴准悬浮石墨烯，包括碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的Si面制备有均匀生长的准悬浮石墨烯，所述准悬浮石墨烯是由半导体石墨烯通过氢插层制备得到；所述准悬浮石墨烯为单层，其晶畴宽度大于200微米而小于等于500微米，长度为亚厘米量级；所述准悬浮石墨烯在室温下具有厘米级弹道输运自由程。
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