恭喜天津大学马雷获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜天津大学申请的专利一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311446570.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法是由马雷;边博岳;纪佩璇;张凯敏;赵健;李雅奇;李睿;田昊;覃振杰设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法，该半导体石墨烯为单层且均匀生长，半导体石墨烯的晶畴宽度可达500微米，长度为亚厘米量级，室温迁移率至少达到4500cm2V·s；其可以采用碳膜辅助法大幅度增加平台面积，能够实现同时在两片SiC衬底上制备超大单晶畴半导体石墨烯；也可以在不利用碳膜辅助的情况下将两片SiC衬底特定排布实现超大单晶畴半导体石墨烯的制备；还可以利用改造坩埚在一片SiC衬底上制备出超大单晶畴半导体石墨烯。可见，本发明能够实现在绝缘衬底上直接生长单层单晶半导体石墨烯，其具有超大晶畴和超高室温高迁移率，可作为电子学器件的关键材料使用。
本发明授权一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超大单晶畴半导体石墨烯，在碳化硅衬底的硅面直接生成，其特征在于，该半导体石墨烯具有石墨烯晶格结构，且与SiC衬底部分成键，具有带隙；所述半导体石墨烯为单层且均匀生长，所述半导体石墨烯的晶畴宽度大于200微米且小于等于500微米，长度为亚厘米量级，室温迁移率至少达到4500cm2V·s。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津大学，其通讯地址为：300072 天津市南开区卫津路92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号