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龙图腾网恭喜深圳市振华微电子有限公司申请的专利一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117690865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311593572.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统是由苏琴;张晶;宋泽润;邓亚童设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及电子元器件加工技术领域，具体公开一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统，该方法包括：对清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到单面金属化陶瓷基板；依次在单面金属化陶瓷基板上刻蚀目标电极图形和目标电阻图形，得到图形化的单面金属化陶瓷基板；沿图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割，并对图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理，得到三面金属化互连的陶瓷薄膜基板；对三面金属化互连的陶瓷薄膜基板进行热处理并加工，得到侧面金属化互连的电子元器件。本发明能够提高侧面金属化互连的电子元器件制备的效率，且适用于任何尺寸的电子元器件的制备。

本发明授权一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，包括：对清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到单面金属化陶瓷基板；依次在所述单面金属化陶瓷基板上刻蚀目标电极图形和目标电阻图形，得到图形化的单面金属化陶瓷基板；沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割，并对所述图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理，得到三面金属化互连的陶瓷薄膜基板；其中，所述目标侧面在所述单面金属化陶瓷基板的边缘；对所述三面金属化互连的陶瓷薄膜基板进行热处理并加工，得到侧面金属化互连的电子元器件；沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割的步骤，包括：利用划片机，沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的所述目标侧面，并按照目标切割方式，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割；其中，所述目标切割方式用于预留所述图形化的单面金属化陶瓷基板的边缘区域；对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割的步骤，包括：按照预设宽度和所述原始陶瓷基板的预设长度比例，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行梳状切割；其中，预设宽度为0.2mm，预设长度比例为原始陶瓷基板长度的90%；对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割后的陶瓷基板为梳状的陶瓷基板。

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