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龙图腾网恭喜中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种耗尽型GaN的开关电源结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118694147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411160126.5，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种耗尽型GaN的开关电源结构是由李科举;麻胜恒;朱警怡设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耗尽型GaN的开关电源结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耗尽型GaN的开关电源结构，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中不能很好控制耗尽型GaN开关速度和需要串接NMOS管耐压过高的问题。本发明提出一种通过调节NMOS管驱动电流的方式来驱动耗尽型GaN源极电压，从而实现功率管的开关速度可控的耗尽型GaN驱动方法。利用耗尽型GaN和NMOS管串接的中间节点可以实现信号检测，简化系统谷底检测电路。同时利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片上电取电功能，从而简化系统的上电电路，降低系统待机功耗。进一步的可以利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片供电功能，从而省掉辅助绕组Laux和二极管D8，简化系统电路，降低成本。

本发明授权一种耗尽型GaN的开关电源结构在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型GaN的开关电源结构，包括整流桥、吸收电路、变压器T1、以及同步整流芯片及其外围电路，其中，整流桥与吸收电路及变压器T1连接，变压器T1还与同步整流芯片及其外围电路连接，其特征在于，还包括主控制芯片，所述主控制芯片包括取电检测稳压模块、控制模块和NMOS开关管N3，其中，所述取电检测稳压模块与NMOS开关管N3的源极连接，所述控制模块与NMOS开关管N3的栅极连接，且控制模块内设有NMOS开关管N3的驱动电路，所述NMOS开关管N3通过耗尽型GaN开关管ND2与变压器T1和吸收电路连接，所述主控制芯片的引脚FB通过环路补偿电容C2接地，且所述主控制芯片的引脚FB还与同步整流芯片的外围电路连接；所述取电检测稳压模块包括与控制模块连接的谷底检测模块和电流检测模块，所述谷底检测模块与晶体管N4的源极连接，所述电流检测模块与晶体管N4的漏极连接，所述晶体管N4的栅极分别与电阻R41的一端和稳压二极管D42的阴极，所述晶体管N4的源极分别与电阻R41的另一端和稳压器D43的阴极连接，所述晶体管N4的漏极与稳压二极管D41的阳极连接，所述二极管D41的阴极与储能电容C0的一端连接，所述稳压器D43的阴极连接、稳压二极管D42的阳极、储能电容C0的一端均接地；所述NMOS开关管N3的驱动电路包括开关逻辑控制模块和与缓冲器，其中，开关逻辑控制模块输入端接入开关脉冲控制信号PWM，开关逻辑控制模块的输出端与缓冲器连接，缓冲器未与开关逻辑控制模块连接的一端与NMOS开关管N3连接；所述缓冲器有n个，NMOS开关管N3的驱动电路工作时，将NMOS管N3拆成多个NMOS管N31、N32、N33...N3n，然后开关脉冲控制信号PWM通过开关逻辑控制模块处理后分别通过缓冲器U31、U32、U33...U3n驱动多个NMOS管N31、N32、N33...N3n的开与关，实现开关电流变化速率的控制。

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