恭喜江苏凯威特斯半导体科技有限公司薛弘宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏凯威特斯半导体科技有限公司申请的专利一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118874932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411187198.9，技术领域涉及：B08B3/08；该发明授权一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法是由薛弘宇;朱文健;徐国俊;李伟东;丁瑞华;陈开清;张牧;陆圣波;严汪学;桂传书设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法，包括将喷淋头放置于含有甲缩醛、双氧水、丙酮清洗液中浸泡、氧气等离子清洗、氮气等离子清洗、超微纳米气泡工艺清洗、纯水超声处理等步骤。本发明采用化学等离子结合超微纳米气泡工艺的方式，对半导体化学气相沉积设备进行清洗。这种方法能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，有效去除表面和孔洞的污染物，提高清洗效果和产品质量；本发明方法不仅能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，同时，因为不涉及酸碱化学品，因此对母材的损伤较小，这一优势将大大提高半导体制造设备的清洗效率和质量，从而提高半导体产品的整体性能和使用寿命。
本发明授权一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：1将喷淋头放置于清洗液中浸泡，以去除表面的有机物，所述清洗液由甲缩醛、双氧水、丙酮组成，按体积百分比计算，所述清洗液包括甲缩醛50～85％，双氧水5～20％，丙酮5～40％；2取出喷淋头，对其进行等离子清洗，以去除大部分硅聚物，碳氟聚合物和其他污染物，所述等离子清洗包括氧气等离子清洗和氮气等离子清洗两个步骤；3使用超微纳米气泡工艺清洗残留的污染物；4对步骤3得到的喷淋头进行纯水超声处理，吹干；5将步骤4得到的喷淋头烘干并冷却。
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