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龙图腾网恭喜绵阳炘皓新能源科技有限公司申请的专利一种光伏电池的低折射减反射膜结构、制备方法及电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411227050.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种光伏电池的低折射减反射膜结构、制备方法及电池是由杨仕林;刘大伟;夏中高;吴秋宏;周珊合;刘思瑞;何振雄设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光伏电池的低折射减反射膜结构、制备方法及电池在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏技术领域，公开了一种光伏电池的低折射减反射膜结构、制备方法及电池，所述减反射膜结构包括从下至上依次沉积的第一SiNx薄膜层、第二SiNx薄膜层、第三SiNx薄膜层、第四SiNx薄膜层；所述第一SiNx薄膜层的氮硅比为3.33；所述第二SiNx薄膜层的氮硅比为6.16；所述第三SiNx薄膜层的氮硅比为9.49；所述第四SiNx薄膜层的氮硅比为9.49。本发明通过改变SiNx层中的Si与N的比例，无需改变减反射膜的厚度，就能够使得电池正面SiNx‑SiONx‑SiO2减反射薄膜整体折射率降低，从而增加对光的吸收，大幅增加电池的短路电流，同时由于无需调整膜层厚度，能够保留电池的钝化性能，使电池开路电压变化不大。

本发明授权一种光伏电池的低折射减反射膜结构、制备方法及电池在权利要求书中公布了：1.一种应用于光伏电池的低折射减反射膜结构的制备方法，其特征在于，所述减反射膜结构包括从下至上依次沉积的第一SiNx薄膜层、第二SiNx薄膜层、第三SiNx薄膜层、第四SiNx薄膜层；所述第一SiNx薄膜层的氮硅比为3.33；所述第二SiNx薄膜层的氮硅比为6.16；所述第三SiNx薄膜层的氮硅比为9.49；所述第四SiNx薄膜层的氮硅比为9.49；所述第一SiNx薄膜层的沉积工艺为：在时间为35-45s下，SiH4流量为2800sccm，NH3流量为9335sccm，1650mttor的压力下恒压；在时间25-35s，功率一为12500-13500W，功率二为13500-14500W，脉冲开50ms，脉冲关600ms的条件下沉积。

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