恭喜广东润宇传感器股份有限公司李树成获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东润宇传感器股份有限公司申请的专利异型腔体制备方法和传感器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119018846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411400810.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权异型腔体制备方法和传感器制备方法是由李树成;李海全;方泽川设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本异型腔体制备方法和传感器制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于微机械加工技术领域，具体涉及一种异型腔体制备方法和传感器制备方法；该制备方法包括根据异型腔体的设计图，在所述衬底上的岛状结构区或膜片区形成图形化的硬掩膜层，得到预刻蚀结构；其中所述异型腔体包括至少两种高度的岛状结构或至少两种厚度的膜片，不同高度的岛状结构对应不同厚度的硬掩膜或不同厚度的膜片对应不同厚度的硬掩膜；对所述预刻蚀结构进行刻蚀，以形成所述异型腔体。该方案只需对衬底进行一次刻蚀，即可在深腔底部制备出不同高度的岛状结构或者具有不同厚度的膜片，从而简化了异型腔体制作工艺，提高了产品的生产良率。
本发明授权异型腔体制备方法和传感器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异型腔体制备方法，其特征在于，所述异型腔体包括至少两种厚度的膜片，所述膜片包括空腔底部与衬底底部之间的介质，所述制备方法包括：提供一衬底；根据所述异型腔体的设计图中每个膜片的厚度，获取每个膜片与厚度最薄的膜片之间的厚度差；根据硬掩膜与衬底的刻蚀速率比，确定出每个厚度差对应的硬掩膜厚度；根据所述每个厚度差对应的硬掩膜厚度，在所述衬底的膜片区形成图形化的硬掩膜层，得到预刻蚀结构；其中不同厚度的膜片对应不同厚度的硬掩膜；在所述预刻蚀结构的上表面涂覆光刻胶，经过曝光和显影后在所述衬底的非膜片区形成光刻胶保护层；对所述硬掩膜层和衬底进行刻蚀，达到预设刻蚀深度后去掉所述光刻胶保护层，得到所述异型腔体；其中，所述预设刻蚀深度为最薄膜片对应的刻蚀深度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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