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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411438305.0，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权半导体封装结构是由李文源;李哲洋;李浩;李学宝;金锐;崔翔;赵志斌设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。

本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：壳体（10），包括基板（12）；第一半导体芯片（20），与所述基板（12）连接；第一金属连接部（31），连接在所述基板（12）和所述第一半导体芯片（20）之间并与所述第一半导体芯片（20）的第一极电连接；第二金属连接部（41），与所述第一金属连接部（31）间隔设置，所述第二金属连接部（41）与所述基板（12）连接并与所述第一半导体芯片（20）的第二极电连接；第一端子（32），与所述第一金属连接部（31）电连接；第二端子（42），与所述第二金属连接部（41）电连接；第一绝缘凸块（51），设置在所述基板（12）上并设置在所述第一金属连接部（31）和所述第二金属连接部（41）之间；所述壳体（10）还包括与所述基板（12）连接的围板（13），所述第一金属连接部（31）和所述第二金属连接部（41）沿第一预设方向间隔设置，所述第一绝缘凸块（51）沿第二预设方向延伸，所述第一绝缘凸块（51）的两端分别与所述围板（13）相对的两个内表面连接，其中，所述第二预设方向与所述第一预设方向成夹角设置；所述壳体（10）的内腔内通过灌注绝缘胶体从而形成绝缘胶体部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。