恭喜青岛海存微电子有限公司李云鹏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜青岛海存微电子有限公司申请的专利磁存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411441867.0，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁存储器及其制备方法是由李云鹏;李晓云;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种磁存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决磁存储器的抗磁能力不佳的技术问题，该磁存储器包括衬底、设置于衬底上的磁隧道结、设置于磁隧道结上的顶电极和设置于顶电极上的钝化层；顶电极与磁隧道结电性连接，顶电极被构造为呈预设图形，依据顶电极的形状以及磁隧道结的磁致伸缩系数来设置钝化层的应力，以增大磁隧道结的矫顽场。本申请能够提升诱导磁隧道结的磁各向异性的效果，增强磁隧道结的矫顽场性能，从而提高磁存储器的抗磁能力，提升数据存储的稳定性。
本发明授权磁存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的磁隧道结、设置于所述磁隧道结上的顶电极和设置于所述顶电极上的钝化层；所述顶电极与所述磁隧道结电性连接，所述顶电极被构造为呈预设图形，依据所述顶电极的形状以及所述磁隧道结的磁致伸缩系数来设置所述钝化层的应力；其中，所述顶电极在第一方向上的长度与在第二方向上的长度不同，利用所述钝化层和所述顶电极传递所述应力，以诱导所述磁隧道结的面内磁各向异性，以增大所述磁隧道结的矫顽场。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号