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龙图腾网恭喜青岛海存微电子有限公司申请的专利一种写入方法、电路以及阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411441864.7，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种写入方法、电路以及阵列是由张洪超;韩则地;王旻;周剑锋;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种写入方法、电路以及阵列在说明书摘要公布了：本申请提供了一种写入方法、电路以及阵列，涉及集成电路技术领域。写入电路，包括电压调控模块以及Nand型磁存储单元；Nand型磁存储单元包括自旋轨道矩层以及设置在自旋轨道矩层上的多个磁隧道结。电压调控模块用于根据预设存储需求，生成写入电压和与多个磁隧道结一一对应的控制电压，并将写入电压提供给自旋轨道矩层，将控制电压提供给对应磁隧道结，以使得初始化后的多个磁隧道结按照预设的翻转概率进行翻转。本申请可以根据预设存储需求生成的每个磁隧道结对应的控制电压，来控制磁隧道结的翻转概率，从而可以精确实现Nand型磁存储单元的选择性写入，进而使Nand型磁存储单元可以应用于精确存储中。

本发明授权一种写入方法、电路以及阵列在权利要求书中公布了：1.一种写入电路，其特征在于，包括电压调控模块以及Nand型磁存储单元；所述Nand型磁存储单元包括自旋轨道矩层以及设置在所述自旋轨道矩层上的多个磁隧道结；所述电压调控模块用于：根据预设存储需求，对所述多个磁隧道结进行分类；所述多个磁隧道结的分类结果包括第一存储需求磁隧道结和第二存储需求磁隧道结；根据所述多个磁隧道结中所述第一存储需求磁隧道结的数量以及所述多个磁隧道结的分类结果，确定写入电压以及与所述磁隧道结对应的控制电压；将所述写入电压提供给所述自旋轨道矩层，将所述控制电压提供给对应所述磁隧道结；在所述写入电压和对应所述控制电压下，所述第一存储需求磁隧道结具有第一翻转概率，所述第二存储需求磁隧道结具有第二翻转概率；其中，所述第一翻转概率大于所述第二翻转概率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。