恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司徐玉鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118981998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411472231.2,技术领域涉及:G06F30/394;该发明授权2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构是由徐玉鹏;何正鸿设计研发完成,并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构在说明书摘要公布了:本申请提供了一种2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构,涉及半导体技术领域。该2.5D封装结构的衬底布线方法中,计算每层设有所述布线金属层的介质层的体积,计算每层介质层中金属的体积,计算每层介质层中金属体积占比;;且满足。这样设置,有利于确保各层结构中金属占比大致相同,各层结构的热膨胀系数相近,减小由于热应力导致的翘曲和结构分层,提高结构可靠性。
本发明授权2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构在权利要求书中公布了:1.一种2.5D封装结构的衬底布线方法,其特征在于,所述衬底包括多层叠设的介质层,每层介质层中分别设有布线金属层;所述衬底布线方法包括:计算每层设有所述布线金属层的介质层的体积;计算每层介质层中金属的体积,i取值1至N中的自然数;N为设有所述布线金属层的介质层的层数;计算每层介质层中金属体积占比;; ;若,则采用以下方式中的至少一种进行调节:一、在和两者较小的一层中增加伪布线层,所述伪布线层采用金属材质,所述伪布线层与所述布线金属层没有电性连接;二、所述布线金属层包括依次连接的第一端部、连线部和第二端部;在和两者较大的一层中,减小连线部、第一端部和第二端部三者中至少一者的截面;或减少每层布线金属层中的布线数量;三、在和两者较小的一层中,加大连线部、第一端部和第二端部三者中至少一者的截面;或增加每层布线金属层中的布线数量;四、在和两者较大的一层中增加介质层的厚度。
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