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龙图腾网恭喜厦门市三安集成电路有限公司申请的专利双极性晶体管结构及其制备方法和射频放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411488046.2，技术领域涉及：H10D10/00；该发明授权双极性晶体管结构及其制备方法和射频放大器是由陈章智;廖志明;何湘阳;魏鸿基;郭佳衢设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本双极性晶体管结构及其制备方法和射频放大器在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种双极性晶体管结构包括有源区，有源区具有：半导体层，具有第一表面，半导体层包括依次叠层的集电极层、基极层和发射极层；第一表面为发射极层背向基极层的表面；发射极台阶和发射极金属依次设置在发射极层上；第一介质层，覆盖发射极金属的顶面并沿发射极金属的侧面延伸至覆盖第一表面暴露于发射极金属外的部分；第一介质层具有第一开口；第二介质层，覆盖在第一介质层上；第二介质层具有与第一开口连通的第二开口；基极金属，通过第一开口和第二开口连接至基极层；并延伸覆盖第二介质层于第二开口相邻的至少部分。本发明实施例提供的双极性晶体管及其制备方法和射频放大器能降低结电容、提升频率特性。

本发明授权双极性晶体管结构及其制备方法和射频放大器在权利要求书中公布了：1.一种双极性晶体管结构，其特征在于，包括有源区，所述有源区具有：半导体层，具有第一表面，所述半导体层包括依次叠层的集电极层、基极层和发射极层；所述第一表面为所述发射极层背向所述基极层的表面；发射极台阶，设置在所述发射极层上；发射极金属，设置在所述发射极台阶上；第一介质层，覆盖所述发射极金属的顶面，并沿所述发射极金属的侧面延伸至覆盖所述第一表面暴露于所述发射极金属外的部分；所述第一介质层具有第一开口；第二介质层，覆盖在所述第一介质层上；所述第二介质层具有与所述第一开口连通的第二开口；基极金属，通过所述第一开口和所述第二开口连接至所述基极层；并延伸覆盖所述第二介质层与所述第二开口相邻的至少部分；其中，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度范围分别为200~1000埃米；所述第一开口的最大宽度为0.2~1微米，所述第二开口的最大宽度为0.2~1微米；所述第一开口与所述发射极台阶之间的最小距离为0.2~1微米。

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