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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411519126.X，技术领域涉及：H01L23/44；该发明授权半导体封装结构是由金锐;李文源;李学宝;崔翔;李哲洋;赵志斌;周扬设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。

本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：封装壳（10），具有第一腔体（111），所述封装壳（10）包括基板（20）；半导体芯片（30），连接在所述基板（20）上；端子部（40），与所述半导体芯片（30）的电极电连接；其中，所述封装壳（10）上设置有第一进口（12）和第一出口（13），所述第一进口（12）和所述第一出口（13）均与所述第一腔体（111）连通以使得绝缘散热介质能够通过所述第一进口（12）进入至所述第一腔体（111）内并通过所述第一出口（13）流出至所述第一腔体（111）的外部，所述半导体芯片（30）浸没于所述绝缘散热介质；所述半导体封装结构还包括与基板（20）连接的散热件（50），所述散热件（50）和所述半导体芯片（30）位于所述基板（20）的两侧；所述封装壳（10）还包括第二盖板（17）和第二围板（19），所述第二围板（19）设置在所述第二盖板（17）和所述基板（20）之间以形成第二腔体（112），所述散热件（50）位于所述第二腔体（112）内，所述第二围板（19）上设置有与所述第二腔体（112）连通的第二进口（14）和第二出口（15），以使得过流散热介质能够通过所述第二进口（14）进入至所述第二腔体（112）内并通过所述第二出口（15）流出至所述第二腔体（112）的外部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。