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龙图腾网恭喜中芯热成科技(北京)有限责任公司申请的专利红外成像仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411518886.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权红外成像仪是由刘雁飞;谭伊玫设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本红外成像仪在说明书摘要公布了：本公开涉及一种红外成像仪，该红外成像仪包括：基底；量子点探测结构，设置于基底的一侧，且阵列排布；防串扰隔离结构，与量子点探测结构设置于基底的同一侧，防串扰隔离结构设置在量子点探测结构的至少一侧；量子点探测结构用于响应红外光信号生成电信号；电信号包括向基底传输的目标电信号，以及不同于目标电信号的传输方向的干扰电信号；防串扰隔离结构用于导出干扰电信号。如此，通过将防串扰隔离结构设置在量子点探测结构的至少一侧，能够导出量子点探测结构中的干扰电信号，避免其传输至相邻的量子点探测结构进行干扰，进而降低了红外成像仪的噪声，提升了信噪比，利于提升红外成像质量。

本发明授权红外成像仪在权利要求书中公布了：1.一种红外成像仪，其特征在于，包括：基底；量子点探测结构，设置于所述基底的一侧，且阵列排布；防串扰隔离结构，与所述量子点探测结构设置于所述基底的同一侧，所述防串扰隔离结构设置在所述量子点探测结构的至少一侧；所述防串扰隔离结构包括：第一电极，设置于所述基底的一侧；第一红外感光层，设置于所述第一电极背离所述基底的一侧；第二电极，设置于所述第一红外感光层背离所述第一电极的一侧；所述量子点探测结构用于响应红外光信号生成电信号；所述电信号包括向所述基底传输的目标电信号，以及不同于所述目标电信号的传输方向的干扰电信号；所述防串扰隔离结构用于导出所述干扰电信号；所述量子点探测结构包括：第三电极，设置于所述基底的一侧；第二红外感光层，设置于所述第三电极背离所述基底的一侧；第四电极，设置于所述第二红外感光层背离所述第三电极的一侧；所述防串扰隔离结构的电导率大于所述量子点探测结构的电导率。

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