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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028965B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411519127.4，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权半导体封装结构是由李文源;李学宝;吕旭哲;梁玉;金锐;崔翔;李哲洋;赵志斌;赵波设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。

本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：封装壳（10），包括基板（11）；第一芯片模块（40），与所述基板（11）连接，所述第一芯片模块（40）包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块（50），与所述基板（11）连接，所述第二芯片模块（50）与所述第一芯片模块（40）串联连接；第一功率端子（61），与所述第一芯片模块（40）导电连接；第二功率端子（62），与所述第二芯片模块（50）导电连接；所述半导体封装结构还包括与所述基板（11）连接的第一绝缘凸肋（71），所述第一芯片模块（40）与所述第二芯片模块（50）分别位于所述第一绝缘凸肋（71）的两侧；所述半导体封装结构还包括第一栅极端子（63）和第二绝缘凸肋（72），所述第一栅极端子（63）位于所述第一芯片模块（40）远离所述第一绝缘凸肋（71）的一侧，所述第二绝缘凸肋（72）位于所述第一栅极端子（63）与所述第一芯片模块（40）之间，所述第一栅极端子（63）与多个所述第一半导体芯片均导电连接，所述第一功率端子（61）位于所述第一绝缘凸肋（71）和所述第二绝缘凸肋（72）之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。