买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜南方科技大学申请的专利一种基于等离子体的非氧化物半导体晶圆的表面抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411514582.5，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种基于等离子体的非氧化物半导体晶圆的表面抛光方法是由邓辉;张晋豪;王银惠;何铨鹏;梁绍祥;李吕兵设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于等离子体的非氧化物半导体晶圆的表面抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及表面加工、原子级制造技术领域，公开了一种基于等离子体的非氧化物半导体晶圆的表面抛光方法，包括以下步骤：将待抛光的非氧化物半导体晶圆放置在大气等离子体矩管下，并向大气等离子体矩管中持续通入载气；启动等离子体，并向大气等离子体矩管通入反应气体，对非氧化物半导体晶圆进行等离子体氧化处理，在非氧化物半导体晶圆表面形成氧化膜；待氧化膜的厚度达到预定厚度后，停止通入反应气体，调整等离子体的功率至500‑700W，对非氧化物半导体晶圆进行等离子体调控处理；调控3‑10min后，使等离子体的功率以第一速率匀速降低至预定功率后，将调控处理后的非氧化物半导体晶圆浸泡在刻蚀液中以去除氧化膜，完成对非氧化物半导体晶圆的表面抛光。

本发明授权一种基于等离子体的非氧化物半导体晶圆的表面抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种基于等离子体的非氧化物半导体晶圆的表面抛光方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将待抛光的非氧化物半导体晶圆放置在大气等离子体矩管下，并向大气等离子体矩管中持续通入载气；启动等离子体，并向大气等离子体矩管通入反应气体，对非氧化物半导体晶圆进行等离子体氧化处理，在非氧化物半导体晶圆表面形成氧化膜；待氧化膜的厚度达到预定厚度后，停止通入反应气体，调整等离子体的功率至500-700W，对非氧化物半导体晶圆进行等离子体调控处理；调控3-10min后，使等离子体的功率以第一速率匀速降低至预定功率，然后将调控处理后的非氧化物半导体晶圆浸泡在刻蚀液中以去除氧化膜，完成对非氧化物半导体晶圆的表面抛光；所述预定厚度大于等于100nm；所述第一速率为1-30Wmin。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南方科技大学，其通讯地址为：518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。