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恭喜浙江奥首材料科技有限公司侯军获国家专利权

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龙图腾网恭喜浙江奥首材料科技有限公司申请的专利一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119039992B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411526791.1,技术领域涉及:C09K13/08;该发明授权一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用是由侯军;武文东;赵晓莹;杨茂森;任洁;田继升设计研发完成,并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明提供一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用,所述用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液包括重量配比如下的各组分:氟化试剂0.5‑3份;硝酸20‑70份;醋酸30‑50份;渗透润湿剂1‑5份;反应扩散剂1‑10份。所述氟化试剂为亲核氟化试剂,所述渗透润湿剂为Gemini表面活性剂,所述反应扩散剂为碳链修饰的亚硝基连二硫酸。本发明用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液能有效去除TSV工艺中Si孔侧壁损伤层。本发明蚀刻液通过分段蚀刻芯片,能提高液体置换率,加快传质,促进孔内均一蚀刻,形成孔内均一形貌。

本发明授权一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液,其特征在于,包括重量配比如下的各组分:氟化试剂0.5-3份;硝酸20-70份;醋酸30-50份;渗透润湿剂1-5份;反应扩散剂1-10份;所述反应扩散剂为碳链修饰的亚硝基连二硫酸;所述碳链修饰的亚硝基连二硫酸的制备方法,包括以下步骤:将烷基硫酸盐、亚硝基硫酸和二氧化锰加入到醇水溶液中,在70-80℃条件下搅拌,反应一定时间后冷却至20-25℃;向溶液中加入氢氧化钡处理未反应的硫酸根,以沉淀副产的硫酸根,加入稀硫酸处理过剩钡离子,过滤后的溶液经烘干得到碳链修饰的亚硝基连二硫酸;所述烷基硫酸盐的烷基碳链长为8-12;所述渗透润湿剂为Gemini表面活性剂;所述氟化试剂为HF、二乙胺基三氟化硫(DAST)、NaF、KF中的一种或多种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江奥首材料科技有限公司,其通讯地址为:324012 浙江省衢州市柯城区杜鹃路36号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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