恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司陈涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119050131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411536897.X,技术领域涉及:H10D62/17;该发明授权半导体结构是由陈涛;王仲盛设计研发完成,并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了:本申请公开了一种半导体结构,包括:衬底;U型通道,形成在所述衬底上,具有两个平行通道和位于平行通道一端、连接所述两个平行通道的连接通道;源极和漏极,分别位于所述U型通道的开口侧的两端部;以及栅极,位于所述U型通道上方并横跨所述U型通道的两个平行通道。通过在衬底上形成U型通道,栅极横跨U型通道的两个平行通道可以实现同时二次控制通道,这种二次控制增加了栅极控制能力,同时也能有效减小漏电流。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底;U型通道,形成在所述衬底上,具有两个平行通道和位于平行通道一端、连接所述两个平行通道的连接通道;源极和漏极,分别位于所述U型通道的开口侧的两端部;以及栅极,位于所述U型通道上方并横跨所述U型通道的两个平行通道,所述栅极沿所述U型通道的通道方向上的横向位置不超过所述U型通道的内部凹槽两端;其中,所述U型通道的闭合端掺杂有离子,用以调节U型通道的等效电阻大小;并且所述U型通道的闭合端覆盖有自对准硅化物阻挡层。
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