恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司陈兴获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411536894.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法是由陈兴设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法。该方法包括：提供基底，基底内具有第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的宽度小于第二沟槽；在基底上方沉积氧化层，氧化层包括：填充第一沟槽的填充区，以及覆盖第二沟槽侧壁和底部的凹槽区；利用各向同性刻蚀工艺去除凹槽区并保留部分填充区；沉积隔离层以覆盖部分填充区和第二沟槽；利用倾角等离子体刻蚀工艺去除部分填充区上的隔离层并保留第二沟槽上的隔离层；刻蚀去除部分填充区，使得第一沟槽底部裸露；利用各向异性刻蚀工艺去除第一沟槽底部裸露的基底，使得第一沟槽的深度大于第二沟槽。通过本申请的方案，无需使用第二张光罩即可加深指定沟槽，进而降低了产品制备成本。
本发明授权多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备多尺寸沟槽的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽；在所述基底上方沉积氧化层，所述氧化层包括：填充所述第一沟槽的填充区，以及覆盖所述第二沟槽侧壁和底部的凹槽区；利用各向同性刻蚀工艺去除所述凹槽区并保留部分填充区；沉积隔离层以覆盖所述部分填充区和所述第二沟槽；利用倾角等离子体刻蚀工艺去除所述部分填充区上的隔离层并保留所述第二沟槽上的隔离层；刻蚀去除所述部分填充区，使得第一沟槽底部裸露；利用各向异性刻蚀工艺去除所述第一沟槽底部裸露的基底，使得所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号