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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411536899.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由李琦琦;刘洋;祝君龙;吴涵涵;汪会干设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述制备方法包括：提供衬底，所述衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述衬底的有源区的交界处形成有凹陷；至少在所述凹陷内靠近所述有源区的侧壁上形成第一介质层；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述衬底的上表面；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述浅沟槽隔离结构、所述第一介质层和所述牺牲层；对所述第二介质层进行研磨，停止在所述牺牲层；以及去除所述牺牲层。与现有技术相比，本申请意想不到的技术效果是：可在没有增加光罩的情况下，避免在浅沟槽隔离结构与有源区的交界处形成凹陷，使得有源区表面平整，以达到降低INWE的效果。

本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述衬底的有源区的交界处形成有凹陷；在所述衬底上沉积介质层材料，所述介质层材料覆盖所述衬底的上表面以及所述凹陷；以及以所述衬底的上表面为停止层，干法刻蚀所述介质层材料，以在所述凹陷内靠近所述有源区的侧壁上形成第一介质层，并使靠近所述有源区的侧壁上的所述第一介质层的上表面与所述衬底的上表面齐平；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述衬底的上表面;形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述浅沟槽隔离结构、所述第一介质层和所述牺牲层；对所述第二介质层进行研磨，停止在所述牺牲层；以及去除所述牺牲层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。