恭喜浙江广芯微电子有限公司谢刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利沟槽肖特基结构的工艺参数优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119067406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411546361.6,技术领域涉及:G06Q10/0631;该发明授权沟槽肖特基结构的工艺参数优化方法是由谢刚设计研发完成,并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽肖特基结构的工艺参数优化方法在说明书摘要公布了:本发明公开了沟槽肖特基结构的工艺参数优化方法,涉及导体制造工艺优化技术领域,该方法包括:获取工艺组,包含多个工艺环节;提取第一工艺环节及其对应的预定工艺指标组,通过第一工艺数据库对这些指标进行参数优化,生成工艺决策。动态监测实时工艺指标,并与工艺决策对比,得到工艺偏差。提取实时偏差中的第一指标,通过加权相关系数生成第二工艺指标校准信息,用于校准第二工艺环节的工艺决策,作为该工艺环节的制作标准。解决了现有工艺参数优化无法及时调整工艺偏差的技术问题,达到了提升产品一致性和稳定性、提高生产效率的技术效果。
本发明授权沟槽肖特基结构的工艺参数优化方法在权利要求书中公布了:1.沟槽肖特基结构的工艺参数优化方法,其特征在于,包括:步骤S100,获取工艺组,所述工艺组包括制作目标器件的多个工艺环节;步骤S200,提取所述多个工艺环节中的第一工艺环节,所述第一工艺环节对应第一预定工艺指标组;步骤S300,结合所述第一工艺环节的第一工艺数据库对所述第一预定工艺指标组进行参数寻优,得到第一工艺决策;步骤S400,动态监测得到所述目标器件的第一实时工艺指标信息,并与所述第一工艺决策进行实时对比,得到第一工艺偏差,所述第一工艺偏差包括所述第一预定工艺指标组中各指标的实时偏差;步骤S500,提取所述第一工艺偏差中第一指标的第一实时偏差,并加权第一相关系数得到第二工艺指标校准信息,所述第二工艺指标校准信息是指对所述多个工艺环节中第二工艺环节的第二工艺决策进行动态校准后的信息;步骤S600,将所述第二工艺指标校准信息作为所述目标器件在所述第二工艺环节的制作标准;步骤S300包括:步骤S310,随机获取所述第一工艺数据库中的第一数据组;步骤S320,将所述第一预定工艺指标组在所述第一数据组中遍历得到第一历史工艺指标信息;步骤S330,基于所述第一历史工艺指标信息与所述第一数据组中的第一历史性能指数组建第一训练数据组;步骤S340,对所述第一训练数据组进行有监督学习并训练,得到性能模拟预测模型;步骤S350,通过所述性能模拟预测模型进行模拟预测的寻优分析,得到所述第一工艺决策;步骤S500包括:获取所述第二工艺环节的第二工艺数据库,其中,所述第二工艺环节是指所述多个工艺环节中所述第一工艺环节的邻接下游工艺环节;获取第二预定工艺指标组中任意指标;在第二数据组中匹配所述任意指标对应的任意指标参数,所述第二数据组是指所述第二工艺数据库中的任意历史数据组;对所述第一指标的第一实时指标参数与所述任意指标的所述任意指标参数进行相关性分析,得到相关性分析结果;分析所述相关性分析结果得到所述第一相关系数。
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