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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411555851.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王爽;许凯;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供基底；形成多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构间隔设置于所述基底；在所述基底内形成漂移区以及体区，所述漂移区与所述体区邻接，其中，所述第一栅极结构的部分结构位于所述体区内；在所述基底内形成源区和漏区，所述源区位于所述体区内，所述漏区位于所述漂移区内，所述源区和所述漏区位于所述第一栅极结构的两侧。采用上述技术方案，能够降低半导体结构的导通电阻。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构间隔设置于所述基底；在所述基底内形成漂移区以及体区，所述漂移区与所述体区邻接，其中，所述第一栅极结构的部分结构位于所述体区内；在所述基底内形成源区和漏区，所述源区位于所述体区内，所述漏区位于所述漂移区内，所述源区和所述漏区位于所述第一栅极结构的两侧；形成多个第一栅极结构之前，所述方法还包括：在所述基底表面刻蚀形成第一沟槽；形成多个第一栅极结构，包括：在所述第一沟槽的侧壁表面以及底部表面覆盖所述第一栅极结构的第一栅介质层；对所述第一沟槽进行填充形成所述第一栅极结构的第一栅极主体；在所述第一栅极主体及所述第一栅介质层表面覆盖所述第一栅极结构的第一栅极延长部；在所述基底表面刻蚀形成第一沟槽之前，所述方法还包括：在所述基底表面刻蚀形成第二沟槽，所述第二沟槽位于所述源区远离所述漏区的一侧，且所述第二沟槽槽底的深度大于所述源区底面的深度，所述第二沟槽与所述源区邻接；在形成所述第一栅极结构的过程中，所述方法还包括：在所述第二沟槽侧壁表面以及底部表面覆盖第二栅极结构的第二栅介质层；对所述第二沟槽进行填充形成所述第二栅极结构的第二栅极主体，以得到所述第二栅极结构。

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