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龙图腾网恭喜杭州万高科技股份有限公司申请的专利一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119152906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411567617.1，技术领域涉及：G11C11/4094；该发明授权一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法是由李欣然;崔国宇;孙全;门长有;黄科杰设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法，其中所述架构包括：eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器、ADC电路、存算结果寄存器、特征值更新驱动电路、控制器、行译码器和列译码器；所述计算方法采用上架构进行计算。本发明通过结合近存与存内计算结构，充分配合两者的特点对阵列结构与基本单元进行优化设计并互补两种架构单独的不足，同时采用了深沟槽电容替代平面电容，具有低功耗、低延时、高计算效率和高密度等优点，有效克服传统近存电路带宽限制和存内计算电路工艺限制，可应用于深度学习加速器计算核，特别适用于对集成度和功耗性能有较高要求的边缘端硬件部署。

本发明授权一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构，其特征在于，所述架构包括：eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器、ADC电路、存算结果寄存器、特征值更新驱动电路、控制器、行译码器和列译码器；其中，所述eDRAM近存与存算混合阵列按功能划分为eDRAM存储阵列和eDRAM存算阵列，所述灵敏放大器与所述eDRAM存储阵列连接，所述ADC电路与所述eDRAM存算阵列连接，所述存算结果寄存器与所述ADC电路连接及所述特征值更新驱动电路连接，所述行译码器和列译码器与所述eDRAM近存与存算混合阵列连接，所述特征值更新驱动电路与灵敏放大器连接，所述控制器分别与eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器、ADC电路、存算结果寄存器、特征值更新驱动电路、行译码器和列译码器连接；所述eDRAM近存与存算混合阵列，用于对当前轮次计算的输入的特征值进行计算；所述灵敏放大器，用于将eDRAM存储阵列写入和读出时的位线电压放大，以及所述eDRAM存储阵列的刷新；所述ADC电路，用于将eDRAM存算阵列计算得到的模拟值转换为数字值；所述存算结果寄存器，用于存储所述eDRAM存算阵列进行运算后经所述ADC电路转换得到的数字计算结果；所述存算结果寄存器还，将其存储的所述数字计算结果转移到所述特征值更新驱动电路；所述行译码器和列译码器，用于根据所述控制器发出的地址信号选择所述eDRAM近存与存算混阵列中对应的行和列；所述特征值更新驱动电路，用于更新所述eDRAM近存与存算混阵列中下一轮次计算的输入的特征值；所述控制器，用于控制并选择所述eDRAM近存与存算混合阵列的工作模式、行地址和列地址。

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