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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411570559.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王爽;许凯;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：形成基底；在所述基底的内部形成漂移区；在所述漂移区内形成体区，所述体区与所述漂移区的掺杂类型不同；在所述体区内形成侧部栅极结构；在所述体区内形成源区，所述源区与所述侧部栅极结构邻接，且位于所述侧部栅极结构邻近所述漂移区的一侧，其中，所述源区底面的深度小于所述侧部栅极结构底面的深度；在所述漂移区内形成漏区。采用上述技术方案，能够在源区下方形成导通沟道。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，其中，形成所述基底包括：提供第一基底；在所述第一基底内形成底部栅极结构的底部栅极材料层；形成所述底部栅极结构的底部栅介质层，所述底部栅介质层覆盖所述底部栅极材料层；形成第二基底，所述第二基底覆盖所述底部栅介质层；在所述基底的内部形成漂移区；在所述漂移区内形成体区，所述体区与所述漂移区的掺杂类型不同，其中，所述漂移区和所述体区位于所述第二基底内；在所述体区内形成侧部栅极结构；在所述体区内形成源区，所述源区与所述侧部栅极结构邻接，且位于所述侧部栅极结构邻近所述漂移区的一侧，其中，所述源区底面的深度小于所述侧部栅极结构底面的深度；在所述漂移区内形成漏区；其中，在所述体区内形成所述源区之前，所述方法还包括：在所述第二基底表面形成插塞孔，所述插塞孔与所述漂移区间隔设置且暴露出所述底部栅极材料层的表面；对所述插塞孔进行填充得到所述底部栅极结构的底部栅极插塞。

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