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龙图腾网恭喜之江实验室申请的专利一种激光直写装置和激光直写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119087755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411571188.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种激光直写装置和激光直写方法是由苏晨怡;杨顺华;杨臻垚;张嘉晨;施钧辉设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光直写装置和激光直写方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种激光直写装置和激光直写方法，在光路传播方向上依次包括第一光源、光学衍射元件、多通道声光调制器、第一套筒透镜、第一物镜和第一刻写平台；所述光学衍射元件用于将所述第一光源发出的光束分成至少两束第一子光束，每束所述第一子光束的直径相等或者基本相等，并且所述第一子光束的直径小于所述第一物镜的入瞳孔径，所述多通道声光调制器用于调节每束所述第一子光束的光强。

本发明授权一种激光直写装置和激光直写方法在权利要求书中公布了：1.一种激光直写方法，其特征在于，基于激光直写装置，所述激光直写装置在光路传播方向上依次包括第一光源（1）、光学衍射元件（2）、多通道声光调制器（4）、第一套筒透镜（5）、第一物镜（6）和第一刻写平台（7）；所述光学衍射元件（2）用于将所述第一光源（1）发出的光束分成至少两束第一子光束，每束所述第一子光束的直径相等或者基本相等，并且所述第一子光束的直径小于所述第一物镜（6）的入瞳孔径，所述多通道声光调制器（4）用于调节每束所述第一子光束的光强；所述激光直写方法包括：在制备纳米柱之前，确定纳米柱的设计高度H；至少基于H，确定所述第一子光束的目标光强；所述多通道声光调制器（4）对所述第一子光束的实际光强进行调节，以使所述第一子光束的实际光强匹配于目标光强；使用经过光强调节后的所述第一子光束在光刻胶对应位置处进行曝光，以获得所述纳米柱；所述激光直写方法还包括：获取所述第一光源（1）的光束质量因子M2、所述第一光源（1）对应发射光波长λ、所述第一物镜（6）的等效焦距f以及所述第一子光束的设计焦深L；至少基于M2、λ、f、L确定所述第一子光束的目标直径D；所述光学衍射元件（2）对所述第一子光束的实际直径进行调节，以使所述第一子光束的实际直径匹配目标直径D；所述激光直写方法还包括：获取光刻胶的聚合阈值S；至少基于H、f、L和S确定所述第一子光束的目标光强和目标曝光时间t；所述第一光源（1）控制所述第一子光束的实际曝光时间，以使所述第一子光束的实际曝光时间匹配目标曝光时间t；所述激光直写方法还包括：在制备纳米柱之前，确定纳米柱的设计半径R；至少还基于R确定所述第一子光束的目标光强和目标曝光时间；所述激光直写方法还包括：在制备纳米柱之前，确定纳米柱的设计相位调制量φ、光刻胶固化后的折射率nref和空气折射率n0；至少基于φ、λ、D、H确定相邻两个纳米柱之间的目标间距P；所述光学衍射元件（2）至少基于P、nref和n0对相邻两束所述第一子光束的间距进行调节；其中，，，，,，其中I0为所述第一子光束束腰处光强，w0为第一子光束经第一物镜（6）聚焦后形成的光斑半径。

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