买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜宁波芯健半导体有限公司申请的专利多结构凸点的晶圆级封装方法、系统、终端及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578336.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权多结构凸点的晶圆级封装方法、系统、终端及存储介质是由彭祎;方梁洪;任超设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本多结构凸点的晶圆级封装方法、系统、终端及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种多结构凸点的晶圆级封装方法、系统、智能终端及存储介质，涉及芯片封装技术领域，其方法包括：在集成电路晶圆的介电层上溅射形成TiCu层；在TiCu层上方涂覆第一厚度的第一光刻胶层，第一厚度与第一凸点的高度匹配；在第一光刻胶层上形成第一凸点的图形；在集成电路晶圆上形成第一凸点；去除第一光刻胶层；在TiCu层上方涂覆第二厚度的第二光刻胶层，第二凸点的结构与第一凸点的结构不同；在第二光刻胶层上形成第二凸点的图形；在集成电路晶圆上形成第二凸点；去除第二光刻胶层和TiCu层，露出第一凸点和第二凸点；对集成电路晶圆进行回流，得到封装后的集成电路晶圆。本申请具有在晶圆级封装的集成电路晶圆上形成多种结构的电极凸点的效果。

本发明授权多结构凸点的晶圆级封装方法、系统、终端及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种多结构凸点的晶圆级封装方法，其特征在于，所述方法包括：在集成电路晶圆的介电层上溅射形成TiCu层，所述TiCu层覆盖所述集成电路晶圆的表面，所述TiCu层包括Ti层和Cu层，所述在集成电路晶圆的介电层上溅射形成TiCu层包括：在所述介电层上溅射形成所述Ti层，在所述Ti层上溅射形成所述Cu层，所述TiCu层用于作为种子层；在所述TiCu层上方涂覆第一厚度的第一光刻胶层，所述第一厚度与第一凸点的高度匹配；在所述第一光刻胶层上形成所述第一凸点的图形；在所述集成电路晶圆上形成所述第一凸点；去除所述第一光刻胶层；在所述TiCu层上溅射形成Cu层；在所述TiCu层上方涂覆第二厚度的第二光刻胶层，所述第二厚度与第二凸点的高度匹配，所述第二光刻胶层的厚度大于所述第一凸点的高度，所述第二凸点的高度大于所述第一凸点的高度，所述第二凸点的结构与所述第一凸点的结构不同；在所述第二光刻胶层上形成所述第二凸点的图形；在所述第一凸点和所述第二凸点的高度差值小于临界高度差值的情况下，获取所述第二凸点的图形的实际边界线；根据所述实际边界线和预设的有效距离，形成刻蚀区域，所述刻蚀区域的边界到所述实际边界线的最短距离不小于所述有效距离，所述刻蚀区域包围所述第二凸点的图形；根据所述第二光刻胶层的实际厚度和推荐厚度的差值，设置刻蚀深度；按照所述刻蚀深度，对所述刻蚀区域进行离子束刻蚀；在所述集成电路晶圆上形成所述第二凸点；去除所述第二光刻胶层和所述TiCu层，露出所述第一凸点和第二凸点；对所述集成电路晶圆进行回流，得到封装后的集成电路晶圆。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宁波芯健半导体有限公司，其通讯地址为：315000 浙江省宁波市宁波杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。