恭喜上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学朱小娜获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学申请的专利一种CFET的门电路器件结构与工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411732504.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种CFET的门电路器件结构与工艺是由朱小娜;汤培顺;朱驰昂设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CFET的门电路器件结构与工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CFET的门电路器件结构与工艺，涉及半导体技术领域，包括衬底，所述衬底的顶部通过绝缘层包裹有并联连接的N沟道场效应管和P沟道场效应管；N沟道场效应管与P沟道场效应管共用相同的源极S，N沟道场效应管与P沟道场效应管共用相同的漏极D；N沟道场效应管的栅极与P沟道场效应管的栅极互相分离，互相分离的栅极与栅极构成分离栅结构。本发明通过将原本平面的CMOS单元对折构成向上相互垂直堆叠的立体器件，同时采用介质隔离P型和N型场效应管器件的栅极构成分离栅结构，能够节省CFET集成的平面面积、提高集成密度、缩小沟道进程以及提高芯片精度，有利于保持电路性能和电路设计的灵活性。
本发明授权一种CFET的门电路器件结构与工艺在权利要求书中公布了：1.一种CFET的门电路器件工艺，其特征在于，包括如下步骤：制造衬底；对衬底实施SOI工艺并制造SOI晶体硅衬底；在SOI晶体硅衬底的顶部采用化学气相沉积各向同性地沉积薄层制作掩模版；蚀刻绝缘层并在掩模版下方形成硅鳍片和浅沟槽；向绝缘层内与浅沟槽隔离氧化物的部位内预埋金属线结构，制成埋入式电源轨BPR；制造虚拟栅和内部间隔；在绝缘层上依次生长底层外延层、底层接触层、顶层外延层和顶层接触层；重制金属分离栅结构来隔绝栅极信号，通过接触互连线，分别引出栅极信号；采用化学机械平坦化CMP技术对绝缘层、底层外延层、底层接触层、顶层外延层和顶层接触层打磨抛光。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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