恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411756604.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备是由陈维邦设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，涉及集成电路技术领域，包括提供衬底，衬底内包括隔离层，以及沿平行衬底表面的第一方向间隔排布的多个第一隔离结构。于衬底内形成与第一隔离结构一对一设置且经由衬底背面延伸至隔离层的第一隔离部。去除相邻第一隔离部之间的衬底，得到位于第一隔离部侧表面的侧壁半导体层，以及相邻侧壁半导体层之间的第一凹槽；侧壁半导体层的尺寸沿靠近隔离层的方向逐渐增大。于第一凹槽内形成底层光敏层，于底层光敏层上外延生长顶层光敏层。于相邻顶层光敏层之间的间隙内形成与第一隔离部连接的第二隔离部，提高光电转化效率以及量子效率。
本发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内包括沿平行所述衬底正面的第一方向延伸的隔离层，以及经由所述衬底正面朝向所述衬底内延伸至所述隔离层，且沿所述第一方向间隔排布的多个第一隔离结构；于所述衬底内形成与所述多个第一隔离结构一对一设置的多个第一隔离部，所述多个第一隔离部经由所述衬底背面延伸至所述隔离层；去除相邻所述第一隔离部之间的衬底，得到位于所述第一隔离部侧表面的侧壁半导体层，以及位于相邻所述侧壁半导体层之间的第一凹槽；所述侧壁半导体层的尺寸沿靠近所述隔离层的方向逐渐增大；于所述第一凹槽内形成底层光敏层，于所述底层光敏层上外延生长顶层光敏层；于相邻所述顶层光敏层之间的间隙内形成与所述第一隔离部连接的第二隔离部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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