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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其电气特性计算中的校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119272668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411783574.0，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权半导体器件及其电气特性计算中的校准方法是由山中俊明;北口裕久设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其电气特性计算中的校准方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体器件及其电气特性计算中的校准方法。校准方法包括如下步骤：判定包含由与对象主体部（10）大致相同的构造构成的调整用主体部（20）和散热性高于对象布线部（11）的调整用布线部（21）的调整用半导体器件（2）的第一电气特性测定值与第一电气特性计算值之差是否在规定的允差的范围内的工序；在该工序中的判定结果为在允差的范围内时，使用调整用半导体器件（2）的载流子迁移率对包含计算对象半导体器件（1）的电气特性值的第二模拟中使用的载流子迁移率在内的规定的物理常数进行调整的工序。

本发明授权半导体器件及其电气特性计算中的校准方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电气特性计算中的校准方法，其特征在于，对象半导体器件包括：对象主体部，包含半导体元件；以及对象布线部，层叠于所述对象主体部，用于对所述半导体元件通电，所述半导体器件的电气特性计算中的校准方法包括如下步骤：第一步骤，测定包含调整用主体部和调整用布线部的调整用半导体器件的电气特性相关的第一测定值，其中，所述调整用主体部由与所述对象主体部相同的构造构成，所述调整用布线部的散热性高于所述对象布线部；第二步骤，对包含第一模拟中使用的载流子迁移率在内的规定的物理常数进行调整，所述第一模拟计算所述调整用半导体器件的电气特性相关的值；第三步骤，通过所述第一模拟来计算所述调整用半导体器件的电气特性相关的第一计算值；第四步骤，判定在所述第一步骤中得到的所述电气特性的所述第一测定值与在所述第三步骤中得到的所述电气特性的所述第一计算值之差是否在规定的允差的范围内；第五步骤，在所述第四步骤中的判定结果为在所述规定的允差的范围内的情况下，测定所述对象半导体器件的电气特性相关的第二测定值；第六步骤，使用所述第二步骤中的所述调整用半导体器件的载流子迁移率，对包含第二模拟中使用的载流子迁移率在内的规定的物理常数进行调整，所述第二模拟计算所述对象半导体器件的电气特性相关的值；第七步骤，通过所述第二模拟来计算所述对象半导体器件的电气特性相关的第二计算值；以及第八步骤，判定在所述第五步骤中得到的所述电气特性的所述第二测定值与在所述第七步骤中得到的所述电气特性的所述第二计算值之差是否在规定的允差的范围内。

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