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龙图腾网恭喜创意电子(南京)有限公司申请的专利芯片存储模块设计验证方法及非暂态计算机可读取储存媒体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119312743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411855754.5，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权芯片存储模块设计验证方法及非暂态计算机可读取储存媒体是由肖有军;许文昊;李飞设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片存储模块设计验证方法及非暂态计算机可读取储存媒体在说明书摘要公布了：一种芯片存储模块设计验证方法及非暂态计算机可读取储存媒体，可以在芯片工艺前期改善芯片的电压下压问题且适用于包含多个存储单元的芯片存储模块设计，芯片存储模块设计验证方法包含：a基于多个存储单元产生网表；b对网表执行内建自我测试，以将多个存储单元分类为多个内建自我测试群组；c对内建自我测试群组执行功率分析，以获得内建自我测试群组在工艺电压温度角下所对应的功率值；d设定转换时间并根据功率值及转换时间计算多个电流值；e响应于多个电流值中的至少一者大于相关于芯片存储模块设计的电流阈值，调整网表的逻辑设计，再次执行步骤a；以及f响应于多个电流值等于或小于电流阈值，输出芯片存储模块设计。

本发明授权芯片存储模块设计验证方法及非暂态计算机可读取储存媒体在权利要求书中公布了：1.一种芯片存储模块设计验证方法，其特征在于，适用于包含多个存储单元的一芯片存储模块设计，该芯片存储模块设计验证方法包含以下步骤：a通过一运算电路基于该多个存储单元产生一网表，其中该网表指示该多个存储单元的一逻辑设计；b通过该运算电路对该网表执行一内建自我测试，以将该多个存储单元分类为多个内建自我测试群组；c通过该运算电路对该多个内建自我测试群组执行一功率分析，以获得该多个内建自我测试群组在一工艺电压温度角下所分别对应的多个功率值；d通过该运算电路设定一转换时间，并根据该多个功率值及该转换时间计算多个电流值；e响应于该多个内建自我测试群组的该多个电流值中的至少一者大于一电流阈值，通过该运算电路调整该网表的该逻辑设计，并再次执行步骤a，其中该电流阈值相关于该芯片存储模块设计；以及f响应于该多个内建自我测试群组的该多个电流值等于或小于该电流阈值，通过该运算电路输出该芯片存储模块设计。

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