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恭喜西安交通大学高瑞获国家专利权

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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种制备辐照后金属微纳力学样品的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119309897B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411854693.0,技术领域涉及:G01N1/44;该发明授权一种制备辐照后金属微纳力学样品的方法是由高瑞;王建强;卢晨阳;施坦;杨金学;赵珀;白得滹设计研发完成,并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

一种制备辐照后金属微纳力学样品的方法在说明书摘要公布了:本发明属于金属材料制备技术领域,具体涉及一种制备辐照后金属微纳力学样品的方法。包括以下步骤:提供一金属块体材料,对金属块体材料进行离子辐照,得到初始样品;将初始样品固定,对初始样品确定晶粒取向和取向晶粒进行标记,制样得到原始矩形薄片试样;对原始矩形薄片试样表面去除部分辐照层并进行修剪,得到相同晶粒取向下的辐照区和未辐照区,连续凹凸结构的垛口状粗胚;进行减薄,得到微纳力学样品。本发明在辐照后金属块体样品的同一晶粒内,获得相同取向的辐照和未辐照单晶原位力学样品,避免在多个样品中寻找同一取向辐照区域与未辐照区域,减少在不同区域采集数据造成的分析误差,从而实现高效率制备透射电镜下单晶原位力学样品。

本发明授权一种制备辐照后金属微纳力学样品的方法在权利要求书中公布了:1.一种制备辐照后金属微纳力学样品的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一金属块体材料,对所述金属块体材料进行离子辐照,得到初始样品;将初始样品固定,利用电子背散射衍射仪确定初始样品的晶粒取向,并利用聚焦离子束电镜对取向后的晶粒进行标记,晶粒标记后,对标记后的晶粒通过聚焦离子束进行制样得到原始矩形薄片试样;聚焦离子束进行制样时,对标记的晶粒采用U型切挖坑的方式,其中,聚焦离子束的电压为30kV,电流为9.9nA~22nA,U型切挖坑后,上坑的长为30μm~50μm,上坑的宽为12μm~15μm,上坑的高为10μm~15μm;下坑的长为30μm~50μm,下坑的宽为13μm~15μm,下坑的高为10μm~15μm;将铜网固定,且将铜网旋转至铜网和聚焦离子束垂直,然后将原始矩形薄片试样粘贴在铜网上,对原始矩形薄片试样表面去除部分辐照层并进行修剪,得到相同晶粒取向下的辐照区和未辐照区,形成连续凹凸结构的垛口状粗胚;对粗胚进行减薄,使垛口状粗胚中的凸状形成原位力学柱试样,得到微纳力学样品。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学,其通讯地址为:710049 陕西省西安市咸宁西路28号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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