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龙图腾网恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411959341.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种功率器件及其制备方法是由赵杰;陈扶;刘艳设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及其制备方法，功率器件包括：外延结构包括有源区和边缘区，边缘区环绕有源区；边缘区包括第一边缘区和第二边缘区，外延结构的第一边缘区为电隔离区域；第二边缘区内的沟道层与势垒层的界面处具有导电沟道；掺杂的氮化物半导体层包括相互连接的第一区域和第二区域；第一区域覆盖外延结构的部分有源区，第二区域在势垒层的垂直投影位于第二边缘区的导电沟道内，第二边缘区的导电沟道的边缘与第二区域的边缘在势垒层的垂直投影之间的距离大于第一预设值；钝化层包括第一沟槽和第二沟槽；源极位于第一沟槽内，漏极位于第二沟槽内。本发明可以降低栅极漏电，提高器件的可靠性。

本发明授权一种功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；所述外延结构包括有源区和边缘区，所述边缘区环绕有源区；所述边缘区包括第一边缘区和第二边缘区，所述外延结构的第一边缘区为电隔离区域；所述第二边缘区内的所述沟道层与所述势垒层的界面处具有导电沟道；掺杂的氮化物半导体层，所述掺杂的氮化物半导体层位于所述势垒层远离所述衬底的一侧；所述掺杂的氮化物半导体层包括相互连接的第一区域和第二区域；所述第一区域覆盖所述外延结构的部分有源区，所述第二区域在所述势垒层的垂直投影位于所述第二边缘区的导电沟道内，所述第二边缘区的导电沟道的边缘与所述第二区域的边缘在所述势垒层的垂直投影之间的距离大于第一预设值；钝化层，所述钝化层位于所述掺杂的氮化物半导体层远离所述外延结构的一侧；所述钝化层包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽在所述外延结构上的垂直投影与所述有源区交叠，所述第二沟槽在所述外延结构上的垂直投影与所述有源区交叠；源极和漏极，所述源极位于所述第一沟槽内，所述漏极位于所述第二沟槽内。

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