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龙图腾网恭喜成都汉芯国科集成技术有限公司申请的专利晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411978378.9，技术领域涉及：H01L23/532；该发明授权晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法是由刘松林;赖仕普;左小波;李坤;蒋本建设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法，属于半导体制造技术领域，包括：依次连接的CPU模块、硅中介层和基板，还包括第一硅通孔、金属芯以及第一绝缘层，若干第一硅通孔开设于硅中介层，第一硅通孔的开口处开设有缓冲腔；金属芯填充于第一硅通孔内，CPU模块通过金属芯与基板和硅中介层上蚀刻的电路电性连接；第一绝缘层填充于第一硅通孔与金属芯之间不包括缓冲腔的一段，第一绝缘层具有热塑性；其能解决现有技术中晶圆级芯片的TSV中填充的导电金属热膨胀后导致芯片损坏的技术问题。

本发明授权晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.晶圆级芯片TSV封装结构，包括依次连接的CPU模块（2）、硅中介层（1）和基板（5），其特征在于，还包括：若干第一硅通孔（102），开设于所述硅中介层（1）上，所述第一硅通孔（102）的开口处开设有缓冲腔（209）；金属芯（208），填充于所述第一硅通孔（102）内，所述CPU模块（2）通过所述金属芯（208）与所述基板（5）和所述硅中介层（1）上蚀刻的电路电性连接；第一绝缘层（207），填充于所述第一硅通孔（102）与所述金属芯（208）之间不包括所述缓冲腔（209）的一段，所述第一绝缘层（207）具有热塑性；所述CPU模块（2）包括逐层连接的第一晶粒（204）、第二晶粒（203）、第三晶粒（202）以及第四晶粒（201），还包括：第二硅通孔（205），开设于所述第一晶粒（204）上、所述第二晶粒（203）上以及所述第三晶粒（202）上；逻辑单元（401），连接于所述第一晶粒（204）、所述第二晶粒（203）、所述第三晶粒（202）以及所述第四晶粒（201）；导线（4012），连接于所述逻辑单元（401）外侧；若干引脚（4011），与所述第二硅通孔（205）或所述第一硅通孔（102）电性连接；逻辑导线（4013），连接于所述导线（4012）和所述引脚（4011）之间，所述逻辑导线（4013）基于本身物理性质和环境因素改变其本身导电性。

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