恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司胡明辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体线路修补方法及半导体测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119395515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411983557.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权半导体线路修补方法及半导体测试方法是由胡明辉;王丽雅;王成龙设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体线路修补方法及半导体测试方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体线路修补方法及半导体测试方法，包括提供一待测样品，所述待测样品包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构及介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构并延伸覆盖所述衬底，其中，所述介质层具有第一接触孔，以暴露所述衬底的接触区，所述接触区用于连接所述待测样品与外部电路；于所述第一接触孔内形成覆盖所述接触区的保护层；去除部分所述介质层，以于所述介质层内形成沟槽，所述沟槽形成于所述保护层远离所述栅极结构的一侧；去除所述保护层，以使所述沟槽和所述第一接触孔形成具有台阶面且暴露所述接触区的沟槽结构；于所述沟槽结构内形成金属层。本申请提升了金属层的填充效果，减少或避免了开路或短路的风险。
本发明授权半导体线路修补方法及半导体测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体线路修补方法，其特征在于，包括：提供一待测样品，所述待测样品包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构及介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构并延伸覆盖所述衬底，其中，所述介质层具有第一接触孔，以暴露所述衬底的接触区，所述接触区用于连接所述待测样品与外部电路；于所述第一接触孔内形成覆盖所述接触区的保护层；去除部分所述介质层，以于所述介质层内形成沟槽，所述沟槽形成于所述保护层远离所述栅极结构的一侧；去除所述保护层，以使所述沟槽和所述第一接触孔形成具有台阶面且暴露所述接触区的沟槽结构；于所述沟槽结构内形成覆盖所述接触区的金属层，所述金属层填满所述沟槽结构并覆盖所述台阶面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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