买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119401133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510006044.3，技术领域涉及：H01Q15/14；该发明授权一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵及其实现方法是由罗将;章理程设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵及其实现方法。本发明超表面反射阵包括馈源喇叭和可重构超表面反射阵列；可重构超表面反射阵列包括多个周期性排布的超表面反射阵单元；超表面反射阵单元依次包括顶层金属结构层、第一层介质基板、金属地、金属供电层、第二层介质基板和底层金属馈电层；顶层金属结构加载MOS开关芯片。本发明通过控制MOS开关芯片的通断，以实现超表面反射阵单元相位0°和180°两种状态，通过FPGA控制反射阵列中每个超表面反射阵单元的状态，可以在±45°进行波束扫描，相比于使用PIN管作为调谐元件的反射阵列，避免了复杂馈电网络的设计，具有波束扫描速度快和低功耗的优势。

本发明授权一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵，包括馈源喇叭和可重构超表面反射阵列；所述可重构超表面反射阵列包括多个周期性排布的超表面反射阵单元；其特征在于，所述超表面反射阵单元从上到下依次包括顶层金属结构层（1）、第一层介质基板（2）、金属地（3）、金属供电层（4）、第二层介质基板（5）和底层金属馈电层（6）；所述顶层金属结构层（1）包括第一辐射贴片（11）、第二辐射贴片（12）、第三辐射贴片（13）、第四辐射贴片（14）；所述第一辐射贴片（11）的内部挖有一缺口；所述第二辐射贴片（12）、第三辐射贴片（13）、第四辐射贴片（14）位于所述缺口内部；所述第三辐射贴片（13）、第四辐射贴片（14）位于所述第二辐射贴片（12）的两侧；所述第一辐射贴片（11）的缺口与第二辐射贴片（12）的一组平行侧边各自设有至少一个连接金属贴片（15）；所述连接金属贴片（15）加载MOS开关芯片；所述第一辐射贴片（11）为六边形；所述缺口为六边形；第一辐射贴片（11）的侧边与所述缺口的侧边平行设置；所述第三辐射贴片（13）、第四辐射贴片（14）关于所述第二辐射贴片（12）呈轴对称设置；所述第三辐射贴片（13）、第四辐射贴片（14）为C形结构，且开口朝向所述第二辐射贴片（12）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。