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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119511600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059927.0，技术领域涉及：G02F1/21；该发明授权一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法是由周长见;陈基伟;孙一泓设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法。所述架构包括铌酸锂光路、光电转换模块以及铌酸锂忆阻器存算模块。铌酸锂光路包括光耦合入射模块、级联调制模块、光耦合出射模块、第一并行波导和第二并行波导；通过铌酸锂光路实现光电转换模块以及忆阻器存算模块之间的高频信号通信。本发明的互连基于集成光学实现，克服了传统电子存算芯片带宽不足且热管理成本过高的难点；其次，本发明可以在无外部电偏置下直接由波导中的光开关控制工作，芯片存算将只受限于忆阻器开关速度GHz。本发明适用于需求低功耗、高带宽的并行计算、如机器学习推理和神经计算领域。

本发明授权一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构，其特征在于：包括铌酸锂光路，光电转换模块（3）以及忆阻器存算模块（4）；所述铌酸锂光路包括光耦合入射模块（1）、级联调制模块（2）、光耦合出射模块（5）、第一并行波导（61）和第二并行波导（62）；光耦合入射模块（1）包括入射光栅耦合器（11）和1：1分束器（12）；级联调制模块（2）包括一个级联马赫曾德尔调制器（21）；光耦合出射模块（5）包括合束器（51）和出射光栅耦合器（52）；1：1分束器（12）的两个输出端分别连接级联马赫曾德尔调制器（21）的两个输入端，级联马赫曾德尔调制器（21）的两个输出端分别连接第一并行波导（61）和第二并行波导（62）一端，第一并行波导（61）和第二并行波导（62）的另一端分别连接合束器（51）；所述光电转换模块（3）包括一个异质集成的光电探测器（31），光电探测器（31）两端的金-半接触电极对称设置，且金-半接触电极的覆盖区域位于第一并行波导（61）和第二并行波导（62）上方；所述忆阻器存算模块（4）包括一个铌酸锂忆阻器（41）；光电探测器（31）连接铌酸锂忆阻器（41）；光耦合入射模块（1）接收待处理的光信号，待处理的光信号经入射光栅耦合器（11）耦合到铌酸锂光路中，由1：1分束器（12）将待处理的光信号分为两路相干光信号并送入级联调制模块（2）；两路相干光信号分别由级联马赫曾德尔调制器（21）的电学载波进行强度调制或开关控制，并将处理后的两路相干光信号分别经过第一并行波导（61）和第二并行波导（62）平行导入光电转换模块（3）；第一并行波导（61）和第二并行波导（62）中的光信号由倏逝波耦合进入正上方的光电探测器（31）的金-半接触区，光电探测器（31）根据第一并行波导（61）和第二并行波导（62）中的相干光信号的开关状态，基于光电效应产生电子-空穴对并由金-半势垒驱动分离产生相反的光电流实现光信号的探测，进而实现异或门逻辑计算；光电探测器（31）产生的相反的光电流输入铌酸锂忆阻器（41），驱动铌酸锂忆阻器（41）切换存储状态，将计算结果存储在铌酸锂忆阻器（41）中；合束器（51）将第一并行波导（61）和第二并行波导（62）中未被光电探测器（31）吸收的余光合束，再由出射光栅耦合器（52）导出铌酸锂光路。

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