恭喜索尼半导体解决方案公司葭叶一平获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利固态成像装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111671488.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权固态成像装置和电子设备是由葭叶一平;大塚洋一设计研发完成，并于2016-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态成像装置和电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及固态成像装置和电子设备。其中固态成像装置可包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个像素，所述多个像素包括第一像素和邻近所述第一像素的第一侧的第二像素；第一多段遮光壁，所述第一多段遮光壁设置在所述第一像素和所述第二像素之间，所述第一多段遮光壁包括：第一遮光壁，所述第一遮光壁贯穿第一膜；和第二遮光壁，所述第二遮光壁贯穿第二膜，并且在横截面图中，所述第二遮光壁沿朝向所述像素阵列单元的外围的方向从所述第一遮光壁偏移；第一遮光膜，所述第一遮光膜与所述第二遮光壁的第一端接触，其中，所述第一遮光膜的宽度大于所述第二遮光壁的最大宽度。
本发明授权固态成像装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种固态成像装置，包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个像素，所述多个像素包括第一像素和邻近所述第一像素的第一侧的第二像素；第一多段遮光壁，所述第一多段遮光壁设置在所述第一像素和所述第二像素之间，所述第一多段遮光壁包括：第一遮光壁，所述第一遮光壁贯穿第一膜；和第二遮光壁，所述第二遮光壁贯穿第二膜，并且在横截面图中，所述第二遮光壁沿朝向所述像素阵列单元的外围的方向从所述第一遮光壁偏移；第一遮光膜，所述第一遮光膜与所述第二遮光壁的第一端接触，其中，所述第一遮光膜的宽度大于所述第二遮光壁的最大宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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