恭喜中国科学院物理研究所张忠山获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院物理研究所申请的专利一种纳米级的气流传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111721965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910219865.X，技术领域涉及：G01P5/08；该发明授权一种纳米级的气流传感器及其制备方法是由张忠山;李俊杰;顾长志;潘如豪设计研发完成，并于2019-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米级的气流传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纳米级的气流传感器，包括：4×N个气流传感单元6，其中，N为大于或等于1的整数；所述气流传感单元6包括：支撑衬底2；承载部3，形成在所述支撑衬底2上；压阻薄膜5，形成在所述承载部3上；电极4，形成在所述压阻薄膜5上；所述承载部3、压阻薄膜5和电极4一起形成悬空的部分；所述悬空的部分具有自由的三边以及一个折边；所述电极4垂直于所述悬空的部分的折边平行地设置；所述气流传感单元6以等分圆周的方式对称分布。本发明还涉及本发明的纳米级的气流传感器的制备方法。本发明提供的纳米级的气流传感器的高灵敏度；每个纳米级的气流传感单元曲向不同，能分辨气流方向。
本发明授权一种纳米级的气流传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米级的气流传感器1，包括：4×N个气流传感单元6，其中，N为大于或等于1的整数；所述气流传感单元6包括：支撑衬底2；承载部3，形成在所述支撑衬底2上；压阻薄膜5，形成在所述承载部3上；电极4，形成在所述压阻薄膜5上；所述承载部3、压阻薄膜5和电极4一起形成悬空的部分；所述悬空的部分具有自由的三边以及一个折边；所述电极4垂直于所述悬空的部分的折边平行地设置；所述气流传感单元6以等分圆周的方式对称分布；两个相对的纳米级的气流传感单元构成一个轴向的纳米级的气流传感器，两个相互垂直的轴向纳米级的气流传感器实现两轴测量；4×N个纳米级的气流传感单元结构上相互分离并且具有不耦合信号；所述悬空的部分的形状为矩形。
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