恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴荣堂获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957267B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910921677.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置的形成方法是由吴荣堂;连绍慈;廖启宏;吴思桦;欧阳良岳;李锦思设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：提供内连线结构及其形成方法。形成介电层及其中的开口于基底之上。形成导电晶种层于介电层的顶面之上、以及沿着开口的底端和侧壁。形成导电填充层于晶种层之上。可透过表面预处理还原移除晶种层表面上的金属氧化物。在清洁表面未暴露于氧的情况下，透过沉积填充材料于晶种层之上覆盖清洁表面。表面处理可包含使用氢自由基的反应性远程等离子体清洁。如果使用电镀沉积填充层，则表面处理可包含在开启电镀电流之前将基底浸至于电解质中。其他表面处理可包含使用氢自由基的主动预处理；或使用MCxT设备的Ar溅射。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一介电层于一基底之上；形成一开口于该基底上的该介电层中；沿着该开口的侧壁和底端沉积一导电晶种层，其中氧化物层形成在该导电晶种层上；暴露该氧化物层于氢自由基；透过将该基底浸于一化学浴中，从该导电晶种层的一表面移除至少一部分的该氧化物层；以及在移除该氧化物层之后，在该基底在该化学浴中的同时，电镀一导电层于该导电晶种层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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