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龙图腾网恭喜思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利像素单元、图像传感器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911063473.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权像素单元、图像传感器及电子设备是由张盛鑫;徐辰;邵泽旭设计研发完成，并于2019-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素单元、图像传感器及电子设备在说明书摘要公布了：一种像素单元、图像传感器及电子设备，其中像素单元包括：光电二极管、传输晶体管、浮动扩散点，复位晶体管、转换增益控制晶体管以及增益控制电容；其中浮动扩散点靠近传输晶体管设置并连接至传输晶体管；转换增益控制晶体管连接在浮动扩散点和复位晶体管之间；增益控制电容的第一极包括连接部和拓展部，连接部为复位晶体管与转换增益控制晶体管两者的连接点，拓展部由该连接点凸伸至按列方向相邻的两个光电二极管之间；采用连接部和拓展部结合以构成增益控制电容，进而达到更低的低增益值，以提升图像传感器的增益比率和在高光场景下的工作性能。

本发明授权像素单元、图像传感器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种像素单元，其特征在于，包括：光电二极管及连接到所述光电二极管的传输晶体管，所述传输晶体管以一角度倾斜设置于所述光电二极管的角部；浮动扩散点，所述浮动扩散点靠近所述传输晶体管设置并连接至所述传输晶体管；复位晶体管和转换增益控制晶体管，所述转换增益控制晶体管连接在所述浮动扩散点和所述复位晶体管之间；增益控制电容，所述增益控制电容的第一极包括连接部和拓展部，所述连接部为所述复位晶体管与所述转换增益控制晶体管两者的连接点，所述拓展部由所述连接点凸伸至按列方向相邻的两个光电二极管之间；所述浮动扩散点沿第一倾斜方向倾斜设置在所述光电二极管和所述第一极之间，所述转换增益控制晶体管沿第二倾斜方向倾斜设置在所述浮动扩散点和所述第一极之间，所述第一倾斜方向和所述第二倾斜方向交叉；所述拓展部与位于其列方向上两侧的光电二极管之间均设置隔离结构，所述隔离结构采用离子注入方式隔离或STI隔离。

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