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恭喜京瓷株式会社山下恭平获国家专利权

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龙图腾网恭喜京瓷株式会社申请的专利布线基板、电子装置以及电子模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113169136B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980077261.4,技术领域涉及:H01L23/13;该发明授权布线基板、电子装置以及电子模块是由山下恭平;细井义博设计研发完成,并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

布线基板、电子装置以及电子模块在说明书摘要公布了:本发明提供一种可得到包含AlN氮化铝的绝缘基板与Cu铜系的导体层的高密接强度的布线基板。布线基板具备包含AlN的绝缘基板、包含Cu的导体层、位于绝缘基板与导体层之间的中间层。关于中间层,在靠近绝缘基板的第1区域与靠近导体层的第2区域中,第2区域的Cu的浓度比第1区域的Cu的浓度高,第1区域的Al的浓度比第2区域的Al的浓度高。

本发明授权布线基板、电子装置以及电子模块在权利要求书中公布了:1.一种布线基板,其特征在于,具备:绝缘基板,其包含AlN;导体层,其包含Cu;以及中间层,其位于所述绝缘基板与所述导体层的界面,所述中间层在靠近所述绝缘基板的第1区域与靠近所述导体层的第2区域中,所述第2区域的Cu的浓度比所述第1区域的Cu的浓度高,所述第1区域的Al的浓度比所述第2区域的Al的浓度高,所述绝缘基板在与所述导体层的界面处具有多个凹部,在所述凹部之外的区域的界面形成所述中间层,并且在所述凹部的内表面,在所述绝缘基板与所述导体层之间也形成所述中间层,所述中间层的一部分包含密接区域,该密接区域在构成元素中包含氧化钛,在构成元素中包含氧化钛的所述密接区域散布在所述凹部内的所述绝缘基板的界面,和未包含所述密接区域的部位的中间层的Al与Cu的浓度梯度相比,包含所述密接区域的部位的中间层的Al与Cu的浓度梯度平缓。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人京瓷株式会社,其通讯地址为:日本京都府;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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