买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911270198.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏博;王彦;纪世良;张海洋设计研发完成，并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区表面具有若干相互分立的鳍部，所述鳍部上具有第一功函数层和位于所述第一功函数层表面的第二功函数层，且所述第一功函数层覆盖鳍部的顶部表面和侧壁表面；在所述第二功函数层上形成保护层；形成保护层之后，在所述基底和鳍部上形成掩膜材料层；去除第一区上的掩膜材料层，形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜，去除第一区上的第二功函数层和保护层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区表面具有若干相互分立的鳍部，所述鳍部上具有第一功函数层和位于所述第一功函数层表面的第二功函数层，且所述第一功函数层覆盖鳍部的顶部表面和侧壁表面；在所述第二功函数层上形成保护层；形成保护层之后，在所述基底和鳍部上形成掩膜材料层；去除第一区上的掩膜材料层，形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜，去除第一区上的第二功函数层和保护层；其中，所述保护层的形成方法包括：采用快速旋涂工艺在所述第二功函数层表面形成保护膜；采用退火工艺处理所述保护膜，在所述第二功函数层表面形成所述保护层；所述保护膜的材料为含有ZrOx的混合物；所述第二功函数层的材料具有第一密度，所述保护层的材料具有第二密度，且所述第二密度大于第一密度；所述保护膜中ZrOx的浓度为第一浓度，所述保护层中的ZrOx的浓度为第二浓度，且所述第一浓度小于第二浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。