恭喜中国科学技术大学温晓镭获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学技术大学申请的专利一种样品结构及其制作方法、入射空间角标定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110927409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911267392.7，技术领域涉及：G01Q60/18；该发明授权一种样品结构及其制作方法、入射空间角标定方法是由温晓镭设计研发完成，并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种样品结构及其制作方法、入射空间角标定方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种样品结构及其制作方法、入射空间角标定方法，所述样品结构，包括衬底、位于衬底上的金属薄膜，以及位于金属薄膜内部或其上的纳米结构。样品结构简单，制作方法简易，但是能够在倾斜入射光照射下，产生的近场光场分布能够被SNOM检测到，且对入射光空间角具有良好响应，能够用于SNOM近场光场成像，进而由SNOM近场光场成像测量结果反推出入射光空间角分量，从而实现对SNOM设备入射光空间角的标定。该标定方法简便易行，样品结构制备工艺简单，可作为标准样品对不同厂家型号或实验室搭建的散射式扫描近场光学显微镜入射光空间角进行标定，适用范围广泛，可大批量生产。
本发明授权一种样品结构及其制作方法、入射空间角标定方法在权利要求书中公布了：1.一种样品结构，其特征在于，应用在反射式照明方式的扫描近场光学显微镜中对入射光空间角进行标定，所述样品结构包括：衬底；所述衬底的材料为硅片或石英片；位于衬底上的金属薄膜；所述金属薄膜的厚度为10nm-500nm，包括端点值；位于所述金属薄膜内或位于所述金属薄膜上的纳米结构；所述纳米结构为位于所述金属薄膜内且贯穿所述金属薄膜的纳米单缝、位于所述金属薄膜内且未贯穿所述金属薄膜的纳米凹槽；或位于所述金属薄膜上的纳米凸台；当所述纳米结构为位于所述金属薄膜内的纳米单缝时，所述纳米单缝的长度为10μm-500μm，包括端点值；所述纳米单缝的宽度为100nm-1μm，包括端点值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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